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Intrinsic Domain Wall Resistance in Ferromagnetic Semiconductors

机译:铁磁半导体的固有畴壁电阻

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摘要

Transport through zincblende magnetic semiconductors with magnetic domainwalls is studied theoretically. We show that these magnetic domain walls havean intrinsic resistance due to the spin-orbit interaction. The intrinsicresistance is independent of the domain wall shape and width when the latter islarger than the Fermi wavelength. For typical parameters, the intrinsic domainwall resistance is comparable to the Sharvin resistance and should beexperimentally measurable.
机译:理论上研究了具有磁畴壁的闪锌矿型磁性半导体的传输。我们表明,由于自旋轨道相互作用,这些磁畴壁具有固有电阻。当畴壁的形状和宽度大于费米波长时,固有电阻与畴壁的形状和宽度无关。对于典型的参数,固有的畴壁电阻与Sharvin电阻相当,并且应该可以通过实验测量。

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